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ESH2D M4G /
ESH2D M4G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

二极管类型:标准

电压 - DC 反向(Vr)(最大值):200V

电流 - 平均整流(Io):2A

不同 If 时的电压 - 正向(Vf:900mV

电流,耦合至电压 - 正向(Vf)(最大值)@ If:2A

速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间(trr):20ns

不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流:2µA

电压,耦合至电流 - 反向泄漏 @ Vr:200V

不同 Vr,F 时的电容:25pF @ 4V,1MHz

安装类型:表面贴装

封装/外壳:DO-214AA,SMB

供应商器件封装:DO-214AA(SMB)

工作温度 - 结:-55°C ~ 175°C

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商ESH2D M4G
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ESH2D M4GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA$0.13947